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Graphenea石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片S31

Graphenea石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片S31

·生長(zhǎng)方法：CVD合成
·聚合物輔助轉(zhuǎn)移
·芯片尺寸：10 mm x 10 mm
·切屑厚度：525μm
·每個(gè)芯片的通道數(shù)：30
·柵極氧化物厚度（EOT）：20 nm
·柵極氧化物材料：Al2O3
·介電擊穿：>13kV/mm
·金屬化：Au觸點(diǎn)
·石墨烯場(chǎng)效應(yīng)遷移率：>600 cm2/V.s
·狄拉克點(diǎn)：<5 V
·收益率：>75%
·最大柵源電壓：±5V
·最高額定溫度：150°C
·最大漏源電流密度：107A.cm-2

資料下載：Graphenea_GFET-S31 (jcno.net)

價(jià)格：6800元/片
jc@jcno.net
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