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進(jìn)口2H二硫化鉬MoS2 (2H Molybdenum Disulfide)

2H二硫化鉬MoS2

       MoS2(2h相)是一種間接帶隙為1.2eV的半導(dǎo)體。 單層MoS2的帶隙為1.8eV~。 例如，二硫化鉬被用作光電探測(cè)器和晶體管。 這些層通過vanderWaals相互作用堆積在一起，可以剝離成薄的2d層。 MoS2屬于VI族過渡金屬雙鹵代烷(TMDC)。

晶體尺寸: ~10mm
電學(xué)性能: 半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu): 六邊形(Hexagonal)
單位單元參數(shù): a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°
純度:>99.995 %

http://hqgraphene.com/MoS2.php
價(jià)格：10000元/盒

jc@jcno.net


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