化學氣相沉積系統(tǒng)(冷壁CVD)
冷壁CVD 生長設備是對現(xiàn)有石英管式爐CVD 生長設備功耗大、控制性差、產(chǎn)量低等缺點開發(fā)出來的一款新型CVD 生長設備。該設備不僅可以用于石墨烯生長,還可用于六角氮化硼等二維材料薄膜、MBE 薄膜及復合薄膜生長。
1.背景氣壓低,雜質(zhì)氣體干擾少。
2. 參數(shù)控制性好,實驗重現(xiàn)性高。
3. 可擴展性強,可以定制原位金屬電極
蒸鍍參雜等功能。
4. 能耗低,產(chǎn)量高,適用于工業(yè)化生產(chǎn)
(大型冷壁CVD)。
技術參數(shù):