低濃度二氧化碳的光催化轉(zhuǎn)化被認(rèn)為是同時(shí)緩解環(huán)境和能源問(wèn)題的一種有前途的方法。然而,由于CO
2分子的化學(xué)惰性和形成的脆弱的金屬-C/O鍵,弱的CO
2吸附和艱難的CO
2活化過(guò)程嚴(yán)重影響了CO的生產(chǎn)。在此,我們?cè)O(shè)計(jì)并制造了有序大孔氮摻雜碳骨架(Vo-HCo
3O
4/OMNC)上含有氧空位的Co
3O
4中空納米粒子,用于低濃度CO
2的光還原。原位光譜和從頭算分子動(dòng)力學(xué)模擬表明,構(gòu)建的氧空位能夠打破Co-O-Co位點(diǎn)的局部結(jié)構(gòu)對(duì)稱性。不對(duì)稱活性位點(diǎn)的形成將CO
2構(gòu)型從單位點(diǎn)線性模型轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂懈叨确€(wěn)定構(gòu)型的多位點(diǎn)彎曲模型,增強(qiáng)了CO
2分子的結(jié)合和結(jié)構(gòu)極化。因此,Vo- HCo
3O
4/OMNC 在實(shí)驗(yàn)室光源甚至自然光下對(duì)低濃度 CO
2 (10% CO
2/Ar) 的光催化轉(zhuǎn)化表現(xiàn)出前所未有的活性,合成氣產(chǎn)量為 337.8 或 95.2 mmol g
-1 h
-1 ,表觀量子產(chǎn)率高達(dá) 4.2%。
Fig 1. a) Vo- HCo
3O
4/OMNC 的制造策略示意圖。 c) SEM 和 d) Co/OMNC 的 HRTEM 圖像。 b,e,f) SEM,g) HRTEM,h) HAADF-STEM,i) AC HAADF-STEM 和 j) Vo- HCo
3O
4/OMNC 的 EDS 元素映射圖像。
Fig 2. a)不同氧化時(shí)間合成的Vo-HCo
3O
4/OMNC上鈷基納米顆粒的TEM圖像。 Vo-HCo
3O
4/OMNC 和 HCo
3O
4/OMNC 的 b)Co 2p XPS、c)ESR 和 d)O 1s XPS 譜。 e) Co K 邊 XANES 光譜。 f) 小波變換的 k3 加權(quán) EXAFS 譜。g) Vo-HCo
3O
4/OMNC 和 Co
3O
4 的 FT k3 加權(quán) EXAFS 曲線。
Fig 3. a) Vo-HCo
3O
4/OMNC 光催化生成 H
2、CO 和合成氣作為反應(yīng)時(shí)間的函數(shù)。條件:8 mL 乙腈/H
2O (v:v)=3:1,催化劑 (0.1 mg),Ru (25 mg),TEOA (2 mL),藍(lán)色 LED 光源 (450 nm)。 b) 不同反應(yīng)條件下光催化CO
2還原。條目 7:10% CO
2/Ar 中的 1% NOx 和 1% SOx。 c)不同氧化時(shí)間下獲得的Vo-HCo
3O
4/OMNC樣品的CO
2光還原性能。 d) Vo-HCo
3O
4/OMNC在不同CO
2濃度下的光催化性能。 e) 使用
13CO
2 作為氣源生成的
13CO 的質(zhì)譜和總離子色譜(插入)。 f) Vo-HCo
3O
4/OMNC 穩(wěn)定性測(cè)試。 g) CdS@Vo-HCo
3O
4/OMNC 上可見(jiàn)光驅(qū)動(dòng)的 CO
2 還原與醇/胺氧化相結(jié)合的活性。 h) Vo-HCo
3O
4/OMNC在流動(dòng)反應(yīng)器中的CO
2還原試驗(yàn)。
Fig 4. a) Vo- HCo
3O
4/OMNC 上光催化還原 CO
2 的原位 FTIR 光譜。 b) Vo- Co
3O
4 和 Co
3O
4 吸附和活化的自由能圖。白色、紅色、銀色和藍(lán)色球分別代表H、O、C和Co原子。 c) Vo-Co
3O
4上CO
2吸附過(guò)程的自由能等值線圖。 d) Vo- Co
3O
4 表面上 CO
2 的可變吸附構(gòu)型(AIMD 模擬約 2 ps 的快照?qǐng)D像)。 e) Vo- HCo
3O
4/OMNC 和 HCo
3O
4/OMNC 上 CO
2 吸附的原位 FTIR 光譜。 f, g) Vo- Co
3O
4 和 Co
3O
4 吸附過(guò)程中 C- O 鍵的不同長(zhǎng)度 (L) 和 CO
2 的角度 (θ)。 h) Vo- HCo
3O
4/OMNC 和 HCo
3O
4/OMNC 的 CO
2-TPD 曲線。 i) Vo- HCo
3O
4/OMNC 的 Co 2p 在 CO
2 和可見(jiàn)光處理之前和之后的準(zhǔn)原位 XPS 光譜。
Fig 5. a) Vo- Co
3O
4 和 Co
3O
4 的 ELF 計(jì)算。 b) 沿 Z 方向平面內(nèi)
Δ1 的積分。 c) Vo-Co
3O
4 和 Co
3O
4 d 軌道的態(tài)密度(DOS)。 d) Vo-HCo
3O
4/OMNC 和 HCo
3O
4/OMNC 的 UPS 譜。 e) Vo-Co
3O
4 和 Co
3O
4 上吸收的 CO
2 的 dxz 的 PDOS。 f) Vo- Co
3O
4 和 Co
3O
4 模型上吸附 CO
2 的電荷差圖,等值面值:0.01 eBohr
- 3 。 g) 說(shuō)明自旋 DOS 的 d
xz/d
yz-2π* 軌道如何影響 CO
2 的吸附強(qiáng)度。 h)添加Vo-HCo
3O
4/OMNC前后Ru溶液的時(shí)間分辨光致發(fā)光(TRPL)衰減光譜。
相關(guān)研究工作由華南理工大學(xué)Fengliang Wang和Yingwei Li課題組于2023年在線發(fā)表在《Angew. Chem. Int. Ed.》期刊上,原文:Modulating the Reaction Configuration by Breaking the Structural Symmetry of Active Sites for Efficient Photocatalytic Reduction of Low‐concentration CO
2。
https://doi.org/10.1002/anie.202310733
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號(hào)