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        采用水熱法和低溫磷化法制備在泡沫鎳基板上直接生長的NiCoP材料，NiCoP直接生長在導電集流器上制成無粘合劑電極，rGO作為導電網絡覆蓋活性材料表面，形成自支撐結構復合電極，記為NiCoP/rGO-NF。結果表明，NiCoP/rGO-NF電極在1 A g^-1電流密度下的比電容為2137.8 F g^-1，而在5 A g^-1電流密度下，NiCoP/rGO-NF電極在1萬次循環(huán)后仍保持86.5%的比電容。組裝后的ASC器件在750 W kg^-1的功率密度下，能量密度為54.25 W h kg^-1。在5 A g^-1電流密度下，NiCoP/rGO-NF//AC循環(huán)10000次后的容量保持率為87.3%，表明制備的NiCoP/rGO-NF大大提高了材料的電導率和與電解質接觸區(qū)域的電導率，具有作為超級電容器優(yōu)良電極材料的潛力。

 
圖1. NiCoP/rGO-NF復合材料的XRD譜圖。

 
圖2. NiCoP-NF@rGO材料的XPS譜(a)全XPS譜，(b) Ni 2p， (c) Co 2p， (d) P 2p。

 
圖3. 不同放大倍數的SEM圖像(a-c) NiCo- NF， (d-f) NiCo/rGO-NF。

 
圖4. NiCoP/rGO-NF在不同放大倍數下的SEM圖像(a-c)， (d-h) SEM圖像及相應的映射圖像，(e) Ni， (f) Co， (g) P， (h) C。

 
圖5. (a, b) NiCoP/rGO-NF在不同放大倍數下的TEM圖像，(c) HRTEM圖像，插圖為SAED圖像。

 
圖6. NiCoP/rGO-NF和NiCoP- NF電極(a) 20 mV s^-1掃描速率下的CV曲線、(b) 1 A g^-1電流密度下的GCD曲線和(c) 1 A g^-1電流密度下的比電容。

 
圖7. NiCoP/rGO-NF電極(a)不同掃描速率下的CV曲線、(b)峰值電流與掃描速率平方根的函數關系、(c)不同電流密度下的GCD曲線、(d)倍率能力、(e) Nyquist曲線和(f)循環(huán)性能。

 
圖8. (a) 20 mV s^-1下AC和NiCoP/rGO-NF的CV曲線，(b)不同掃描速度下NiCoP/rGO-NF//AC的CV曲線，(c)不同電流密度下NiCoP/rGO-NF//AC的GCD曲線，(d) NiCoP/rGO-NF//AC的循環(huán)穩(wěn)定性和庫侖效率。

 
圖9. (a) Ragone圖，(b)兩系列全固態(tài)ASC照明LED圖。

       相關研究成果由哈爾濱工程大學材料科學與化學工程學院、超輕材料與表面技術教育部重點實驗室Xianchao Wang等人于2023年發(fā)表在Journal of Energy Storage (https://doi.org/10.1016/j.est.2023.107056 )上。原文：Preparation of self-supporting NiCoP/graphene materials and their performance of supercapacitors。

轉自《石墨烯研究》公眾號