在這里，研究報(bào)道了一種一步全干轉(zhuǎn)移方法，用于將化學(xué)氣相沉積石墨烯（CVD石墨烯）轉(zhuǎn)移到不同的應(yīng)用表面上，使用壓敏粘合劑（PSA）材料作為轉(zhuǎn)移介質(zhì)，該材料通過(guò)初始CVD（iCVD）方法以薄膜的形式沉積在應(yīng)用表面上。沉積的PSA膜是丙烯酸和丙烯酸乙基己酯的共聚物，其中每種組分的相對(duì)量被證明是基于粘合的轉(zhuǎn)移過(guò)程所需的粘合力的適當(dāng)調(diào)節(jié)的決定因素。在現(xiàn)實(shí)應(yīng)用表面上的薄PSA膜的幫助下，只需剝離最初沉積CVD石墨烯的銅基底，就可以輕松、高質(zhì)量地實(shí)現(xiàn)石墨烯轉(zhuǎn)移。通過(guò)本研究中概述的全干環(huán)保轉(zhuǎn)移程序，可以將石墨烯轉(zhuǎn)移到柔性大面積PET基底（10 cm×10 cm）上，與使用經(jīng)典濕法轉(zhuǎn)移的石墨烯相比，在該基底上，I–V實(shí)驗(yàn)獲得了更高的電導(dǎo)率值。
圖1.（a） LPT-CVD的示意圖和（b）石墨烯合成的溫度分布。
圖2:（a） iCVD系統(tǒng)和（b）EHA（單體）、（c）AA（單體”）和（d）TBPO（引發(fā)劑）的化學(xué)結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3.基于PSA的石墨烯轉(zhuǎn)移方法示意圖。
圖4.（a） 具有低（PSA 1）和高（PSA 2）AA分?jǐn)?shù)的iCVD-P（EHA-AA）膜和（b）單體的FTIR光譜。（c） 沉積態(tài)薄膜的剪切強(qiáng)度值。
圖5.（a–d）在基于PSA的CVD石墨烯轉(zhuǎn)移過(guò)程中獲得的圖像（玻璃的短邊和長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度分別為25和60 mm）。
圖6.使用含有高（a）和低（d）AA組分的PSA膜轉(zhuǎn)移到玻璃表面的石墨烯的光學(xué)顯微鏡圖像（500倍放大），具有相應(yīng)的拉曼光譜（b，e）和AFM圖像（c，f）。
圖7.（a–c）轉(zhuǎn)移石墨烯的PET基板的照片。（d）PET上石墨烯在平坦和彎曲條件下的I–V特性。
相關(guān)研究成果由科尼亞工業(yè)大學(xué)Mehmet Gürsoy和Mustafa Karaman等人2023年發(fā)表在ACS Applied Engineering Materials (https://doi.org/10.1021/acsaenm.3c00211)上。原文：Transfer of CVD-Graphene on Real-World Surfaces in an Eco-Friendly Manner。
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號(hào)
