遠(yuǎn)程外延有望用于晶格失配材料的合成、膜的剝離和昂貴襯底的再利用。然而，遠(yuǎn)程機(jī)制的明確實(shí)驗(yàn)證據(jù)仍然難以捉摸。替代機(jī)制如針孔籽晶外延或范德華外延通?？梢越忉屗帽∧ぁＴ谶@里，我們表明Heusler化合物GdPtSb在干凈的石墨烯/藍(lán)寶石上的生長(zhǎng)產(chǎn)生了30°旋轉(zhuǎn)的(R30)超結(jié)構(gòu)，這不能用針孔外延來解釋。隨著溫度降低，與直接外延R0疇相比，該R30疇的比例增加，這可以通過遠(yuǎn)程外延與針孔外延之間的競(jìng)爭(zhēng)來解釋。需要仔細(xì)的石墨烯/襯底退火并考慮相對(duì)晶格失配，以獲得穿過一系列其他赫斯勒膜(包括LaPtSb和GdAuGe)到下層襯底的外延。R30超結(jié)構(gòu)提供了遠(yuǎn)程外延的可能實(shí)驗(yàn)指紋，因?yàn)樗c領(lǐng)先的替代機(jī)制不一致。
.png)
圖1.退火清潔了石墨烯/藍(lán)寶石界面。(a，b)400℃和700℃退火后的原子力顯微鏡(AFM)形貌圖像。(c，d) AFM線輪廓。在700℃退火之后，觀察到來自下面的藍(lán)寶石襯底的臺(tái)階輪廓。(e，f)在400和700℃退火后的石墨烯/藍(lán)寶石界面示意圖。L是針孔之間的距離。
圖2. GdPtSb、LaPtSb和GdAuGe在石墨烯/Al2O3(0001)上的外延和剝離。(a)沿藍(lán)寶石帶軸觀察的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的示意橫截面。顏色圖例:紅色= (Gd，La)，黃色= (Au，Pt)，藍(lán)色= (Ge，Sb)，黑色= Al，白色= O. (b)生長(zhǎng)在石墨烯/藍(lán)寶石上的薄膜的X射線衍射(XRD) (Cu Kα) 2θ掃描。薄膜在平面外取向?yàn)閇001]立方或[0001]六方。藍(lán)寶石襯底反射標(biāo)有星號(hào)(*)。(c)剝離后膜的2θ掃描。(d)剝離后剝離膜和基底的照片。襯底尺寸為10 mm × 10 mm。在石墨烯覆蓋的區(qū)域(中心)上生長(zhǎng)的膜的區(qū)域被剝離。
圖3. 面內(nèi)取向。(a)Gdptsb(220)、LaPtSb10 1 2和GdAuGe10 1 2薄膜反射的?掃描，參考藍(lán)寶石10 1 4。(b)面內(nèi)取向的分布。每個(gè)分布代表至少XX個(gè)樣本的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。(c)平面內(nèi)六方晶格參數(shù)和晶體結(jié)構(gòu)。對(duì)于立方GdPtSb，六方晶格參數(shù)AHI定義為ah= d 1 2110。對(duì)于石墨烯，晶格參數(shù)4.26Å對(duì)應(yīng)于一個(gè)R30°超晶胞(黑色實(shí)線)，相對(duì)于傳統(tǒng)的晶胞(黑色虛線)。注意，石墨烯是多晶的，因此石墨烯的外延導(dǎo)致多晶赫斯勒膜。
圖4。石墨烯/Al
2O
3(0001)上GdPtSb的R30取向。(a)直接生長(zhǎng)在藍(lán)寶石上的GdPtSb的方位角?掃描，對(duì)應(yīng)于標(biāo)準(zhǔn)的六邊形對(duì)六邊形外延關(guān)系。(b)石墨烯/Al2O3(0001)上GdPtSb的?掃描。GdPtSb 220反射相對(duì)于藍(lán)寶石10 1 4偏移了δ?= 30°。(c) R0六邊形對(duì)六邊形方向。GdPtSb晶格顯示為藍(lán)色，藍(lán)寶石晶格顯示為黑色。錯(cuò)配為2.7%拉伸。(d) R30取向。，GdPtSb具有更小的晶格失配1.5%壓縮性。
圖5. 控制面內(nèi)旋轉(zhuǎn)(a)在已經(jīng)退火到700℃的石墨烯/藍(lán)寶石上，在600、650和700℃生長(zhǎng)的三個(gè)膜(藍(lán)色)的GdPtSb 220反射的方位角?掃描。所有曲線都參考藍(lán)寶石襯底(黑色)的反射。(b)面外444反射跟蹤晶格參數(shù)的變化。(c，d)解釋溫度依賴性的可能機(jī)制。(c)石墨烯上30°疇的亞穩(wěn)定性。在該圖中，R0和R30疇都出現(xiàn)在石墨烯上生長(zhǎng)。提高生長(zhǎng)溫度能使系統(tǒng)克服兩個(gè)疇之間的動(dòng)力學(xué)障礙。(d)針孔與遠(yuǎn)程機(jī)制。較高的生長(zhǎng)溫度有利于針孔處的生長(zhǎng)，因?yàn)樵黾恿吮砻鏀U(kuò)散長(zhǎng)度λ。來自針孔的生長(zhǎng)導(dǎo)致R0疇。
相關(guān)科研成果由威斯康星大學(xué)Jason Ken Kawasaki等人于2022年發(fā)表在Nano Letters（https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.2c03187）上。原文：Controlling the Balance between Remote, Pinhole, and van der Waals Epitaxy of Heusler Films on Graphene/Sapphire。
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號(hào)
