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韓國科學(xué)技術(shù)院Sanghee Nam課題組--MXene和氧化石墨烯多層膜,用于抑制柔性鋰硫電池中的穿梭效應(yīng)
      鋰多硫化物(LIPs)的穿梭效應(yīng)是阻礙鋰硫電池商業(yè)化的關(guān)鍵問題之一,它導(dǎo)致鋰硫電池容量的嚴(yán)重下降。本文報道了Ti3C2Tx-MXene和氧化石墨烯 (GO) 多層膜通過利用微/介孔的物理抑制和表面官能團的化學(xué)吸收來抑制穿梭效應(yīng)。Go 和 mxene GO和MXene豐富的表面官能團吸引鋰離子(Li+) ,通過靜電親和和排斥力排出帶負(fù)電的多硫化物(Sn2-)。采用簡單的真空過濾方法將單質(zhì)硫(S8)封裝在 Go和Mxene膜(GSM)之間,分別作為偏移分離器和官能化集電器。功能拮抗 GSM 直接作用于 LSBs 的陰極,在初始循環(huán)0.1 C 時具有1425 mAhg–1的比容量。大量的官能團可以化學(xué)吸附LIPs,500次循環(huán)后的循環(huán)保留率高達(dá)85.1% 。此外,由于2D納米材料,MXene 和氧化石墨烯的超薄 GSM 的靈活性,用用PEO-LiTFSI 電解質(zhì)證明了柔性LSB。
 
  
方案一、 a) Ti3C2Tx-MXene 和氧化石墨烯 (GO ) 的合成路線,b) GSM復(fù)合材料的制備,顯示出表面官能團對多硫化鋰的有效化學(xué)吸附。
 
 
Figure 1:氧化石墨烯/硫/MXene(GSM)的SEM圖像。a) GSM 的橫截面圖像 ,b) GO和硫之間邊界的橫截面圖像 ,c)硫和MXene之間邊界的橫截面圖像。d,e)GO片的高分辨率透射電子顯微鏡圖像,f,g)具有原子晶格的MXene片的高分辨率透射電子顯微鏡圖像。
 
  
Figure 2. a) MXene 和 GO 的 Brunauer-Emmett-Teller (BET) 分析,以及顯示孔徑分布的插圖,GO 在 1.5-3 nm 范圍內(nèi),b) MXene 和 GO 的拉曼光譜,c) MXene 和GO傅里葉變換紅外光譜,表明豐富的官能團(-OH、-COOH、-F),
d)MXene、GO 和元素硫的 X 射線衍射圖,e,f)GO的 C 1s 和 O1s XPS 結(jié)果, g-i) MXene 的 Ti 2p、C1s 和 O1s XPS 結(jié)果,解釋了化學(xué)鍵。
 
 
Figure 3. a) 固態(tài) NMR 1H NMR,觀察 CH2O和CH2環(huán)氧化物官能團,b) 固態(tài)13C NMR,獲得羧基、羥基和環(huán)氧基,c) MXene 和 GO 水分散體的 Zeta 電位為pH 值的函數(shù),d-g) 在 0、12、24 和 36 小時時使用市售的聚丙烯 (PP) 隔膜進行可視化多硫化鋰擴散測試的光學(xué)圖像,h-k) 在 0 時的 GO/MXene 雙層復(fù)合材料,圖 12、24 和 36 小時,由H 型電解池中的 Li2S6(左)、GM(中)和 DOL/TEGDME(右)組成。
 
 
Figure 4. 電化學(xué)測量;a) GSM 和 S8/PP 電池在 0.1、0.2、1.0 和 2.0 C 下的長期循環(huán)測試,b) 在從第 1 次到第 100 次循環(huán)的 C-rate 為 0.1C (200 mA g-1),c) 不同 C-rate(0.1 到 6C)下的充放電曲線,d)從 0.1 到 6.0 C 的倍率能力測試,e) 掃描速率為 0.1 mV s-1, f,g) 時的循環(huán)伏安 (CV) 測量)各種掃描速率(0.1、0.2、0.3、0.4 和 0.5 mV s-1)下的 CV 測量,顯示反應(yīng)電位位移,h) 電化學(xué)阻抗譜 (EIS) 從 500 000 到 0.1 Hz,表明半圓阻抗和 Warburg 阻抗,
i) 與其他已發(fā)表的研究結(jié)果在不同 C 率下的比較圖。
 
  
Figure 5. a,b) 所得 GSM 復(fù)合材料的數(shù)字圖像,暗GO側(cè)(左)和亮的MXene側(cè)(右),c) 滴鑄用于柔性鋰硫電池 (FLSB) 的 PEO-LiTFSI 的制造過程的數(shù)字圖像特氟隆模具中,以1制造FLSB,正常狀態(tài)和50個LED燈泡,f)充放電曲線的性能d,e)的數(shù)字圖像ST,2次,3次,5次,20次和50次循環(huán),袋型電池在 0.1C (180 mA g-1 ) 下測量,g) 100 次循環(huán)的長期循環(huán)穩(wěn)定性,表明循環(huán)保持率為 76.69%(每個循環(huán) 0.00797%-1),h) 在幾個條件下的 CV 測量0.1 至 0.5 mV s-1的掃描速率,,i) FLSB 的 EIS,在 Warburg 區(qū)域和插圖中為64.47°,在中頻區(qū)域顯示放大的半圓。
 
       相關(guān)研究成果由韓國科學(xué)技術(shù)院Sanghee Nam課題組于2021年發(fā)表在《Advanced Materials Technologies》上。原文:Collectively Exhaustive MXene and Graphene Oxide Multilayer for Suppressing Shuttling Effect in Flexible Lithium Sulfur Battery。

轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號

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