要實現(xiàn)高效的光電化學水分解，需要更好地了解光電極表面附近的離子動力學，例如擴散，吸附和反應。然而，對于宏觀的三維電極，通常很難將表面效應對總光電流的貢獻與整體中各種因素的貢獻區(qū)分開。在這里，我們報道了一種由InSe晶體單層制成的光陽極，它被單層石墨烯封裝以確保高穩(wěn)定性。由于InSe具有高遷移率和強抑制電子-空穴對復合的特性，我們在眾多的光響應二維材料中選擇了InSe。利用原子薄電極，我們獲得了密度大于10 mA cm−2的1.23 V可逆氫電極的光電流，比其他二維光電流大幾個數(shù)量級。除了InSe的顯著特性外，我們還將其增強的光電流歸因于陽極表面附近的氫氧離子和光產(chǎn)生的空穴之間的強耦合。結(jié)果，由于存在離子束縛的空穴而抑制了電子-空穴的復合，因此即使在照明停止后也觀察到持續(xù)的電流。該結(jié)果為研究電極表面的離子動力學提供了一個原子薄材料平臺，并為開發(fā)新一代高效光電極提供了思路。
Fig. 1 用于PEC測量的InSe/Gr陽極。
Fig. 2 氫氧根離子在InSe / Gr表面的吸附。
Fig. 3 InSe/Gr光電陽極中的持久光電流密度。
相關(guān)研究成果于2020年由廈門大學Yang Cao課題組，發(fā)表在Nature Communication (https://doi.org/10.1038/s41467-020-20341-7)上。原文：Atomically thin photoanode of InSe/graphene heterostructure。
Fig. 1 用于PEC測量的InSe/Gr陽極。
.jpg)
