石墨烯基系統(tǒng)邊緣的異常電子性質(zhì)，源自其電子波函數(shù)的偽自旋特征及其非平凡的拓撲結(jié)構(gòu)。表現(xiàn)在材料之字形狀邊緣明顯的零能電子態(tài)的出現(xiàn)，該電子態(tài)對這種系統(tǒng)中的層間傳輸具有重要作用。在這項工作中，我們利用獨特的實驗裝置和電子輸運計算來定量區(qū)分邊緣輸運和散裝輸運，這表明它們的相對貢獻在很大程度上取決于角度堆疊構(gòu)型和層間電勢。此外，我們發(fā)現(xiàn)，盡管邊緣狀態(tài)在接觸器圓周上很強地局部化，但即使存在邊緣紊亂，在不相稱的界面中的邊緣傳輸也可以控制高達2μm的接觸直徑。在本研究中揭示的邊緣和大量傳輸貢獻之間的復雜相互作用，可能會對納米扭曲石墨烯基電子產(chǎn)品的實際應用產(chǎn)生深遠的影響。
Fig. 1 石墨接觸中邊緣和體層間輸運貢獻的實驗測定。
Fig. 2 邊緣和大塊界面?zhèn)鲗У闹貥?gòu)與應用的偏置電壓。
Fig. 3 計算界面透射率和波函數(shù)分布。
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Fig. 4 計算界面透射率、電流、和邊緣到體積的交叉條件。
相關(guān)研究成果于2020年由以色列理工學院Elad Koren課題組，發(fā)表在Nature Communications(https://doi.org/10.1038/s41467-020-18597-0)上。原文：The scaling laws of edge vs. bulk interlayer conduction in mesoscale twisted graphitic interfaces。
轉(zhuǎn)自《石墨烯雜志》公眾號：
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