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       多層石墨烯及其疊加順序既提供了有趣的基本特性，也提供了技術工程應用。幾種控制疊加順序的方法已經(jīng)被證明，但是精確控制所需疊加序列的層數(shù)的方法仍然缺乏。在這里，我們提出了一種使用直接化學氣相沉積法，通過Cu-Si合金形成來控制晶圓級多層石墨烯薄膜的層厚度和晶體學堆疊順序的方法。通過調(diào)節(jié)超低極限CH₄濃度引入C原子以形成SiC層，在Si升華后以晶片級達到1-4個石墨烯層。單晶或均勻取向的雙層（AB），三層（ABA）和四層（ABCA）石墨烯的晶體結構是通過納米角分辨光發(fā)射光譜法確定的，這與理論計算，拉曼光譜和傳輸測量相吻合。本研究朝著石墨和其他二維材料的層控制生長邁出了一步。
  
Fig. 1 Cu-Si合金中多層石墨烯的擴散至升華生長。
 
 
Fig. 2 通過在CVD室中進行熱處理，形成的Cu-Si合金和均勻的多層石墨烯生長。
 
 
Fig. 3 在晶圓規(guī)模上控制石墨烯層和單晶多層石墨烯膜的數(shù)量。
 
 
Fig. 4 石墨烯薄膜層間的相對晶體取向。
 
     相關研究成果于2020年由韓國水原基礎科學研究所Young Hee Lee課題組，發(fā)表在Nature Nanotechnology (https://doi.org/10.1038/s41565-020-0743-0)上。原文：Layer-controlled single-crystalline graphene film with stacking order via Cu–Si alloy formation。

摘自《石墨烯雜志》公眾號：