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美國路易斯安那理工大學(xué)Kasra Momeni研究團(tuán)隊--自融合策略合成超厚高導(dǎo)熱石墨烯薄膜
       在5G時代,電子和光電設(shè)備中數(shù)據(jù)的高頻和高速傳輸將產(chǎn)生大量熱。因此,發(fā)展具有高導(dǎo)熱率(K)和較厚的熱管理材料以實現(xiàn)局部散熱,這是急切需要的。常規(guī)熱管理材料主要包括金屬材料和非金屬碳基材料。一般來說,金屬材料的厚度高但K值有限,而非金屬碳基材料的K值高但難以使其厚度變高。為解決這一矛盾,這里提出了一種可行的方法,基于氧化石墨烯片之間的自融合特性制備了具有高K值的超厚石墨烯薄膜。所獲得的超厚石墨烯薄膜其厚度可達(dá)200?? mm,同時保持高K值為1224±110 W m-1 K-1。此外,該超厚石墨烯薄膜在傳熱過程中顯示出很高的熱通量。該研究工作為解決高頻和大功率設(shè)備散熱問題提供了一種可行的思路。
 
Figure 1. 建造超厚 GF的示意圖以及每一個步驟的光學(xué)照片。
 

Figure 2. (a)單個薄GOF的橫截面。在濕法熔合(b),熱壓(c)和石墨化(d)后的三層粘合膜的橫截面。(e-h)不同層粘合后一系列厚的薄膜。
 

Figure 3. (a-f)PGOF,PGF和LGF的搭接剪切測量。(g,h)PGOF的橫截面圖。(i)PGF連接界面的形貌。(j)LGF的橫截面圖。(k,l)LGF連接界面的形貌。
 

Figure 4. (a-c)PGF,BGF和LGF的側(cè)視橫截面圖。(d)PGF和BGF的XRD圖譜。(e)三種薄膜的熱導(dǎo)率與厚度的函數(shù)關(guān)系。(f)三種薄膜的電導(dǎo)率與厚度的函數(shù)關(guān)系。
 

Figure 5. (a)GF和金屬箔的紅外熱像圖。右邊的三個樣品的厚度為200 mm,垂直安裝在恒溫?zé)嵩瓷?。(b)根據(jù)紅外熱像圖顯示的不   同樣品的溫度曲線。(c)塊狀石墨被不同薄膜樣品加熱時,其溫度隨時間的變化情況。所有薄膜都具有相同的幾何形狀。(d)塊狀石墨被不同層PGF樣品加熱時,其溫度隨時間的變化情況。

       該研究工作由美國路易斯安那理工大學(xué)Kasra Momeni研究團(tuán)隊于2020年發(fā)表在Carbon期刊上。原文:Shear-induced diamondization of multilayer graphene structures: A computational study。

摘自《石墨烯雜志》公眾號:

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