石墨烯的名詞術(shù)語和定義
1 范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了吉倉石墨烯的名詞術(shù)語和定義等。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于吉倉石墨烯的生產(chǎn)、應(yīng)用、檢驗(yàn)、流通、研發(fā)等環(huán)節(jié)。
2 分類
本標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語分為4類。
a）基本概念
b）按功能和應(yīng)用分類的術(shù)語；
c）按幾何尺寸分類的術(shù)語；
d）與石墨烯材料產(chǎn)品代號(hào)相關(guān)的術(shù)語。
3 定義
3.1
基本概念
單層石墨烯（Graphene）由一個(gè)碳原子與周圍三個(gè)近鄰碳原子結(jié)合形成蜂窩狀結(jié)構(gòu)的碳原子單層。
3.1.1
石墨烯
graphene 是由10層及10層以內(nèi)單層石墨烯（3.1）以不同堆垛方式（包括ABC堆垛，ABA堆垛等）堆垛構(gòu)成的 二維碳材料。
3.1.2
層數(shù)
number of layers
石墨烯（3.1.1）或改性石墨烯（3.2.2）中在堆垛方向上所包含單層石墨烯（3. 1）的數(shù)目。
注：石墨烯（3. 1.1）堆垛方向指垂直于石墨烯（3.1.1）的方向。
3.1.3
片徑
diameter
垂直于石墨烯（3. 1.1）堆垛方向的橫向尺寸。
3.1.4厚度
石墨烯（3.1.1）堆垛方向尺寸
3.2 按功能和應(yīng)用分類的術(shù)語
3.2.1.2
雙層石墨烯
bilayer graphene; double-layer graphene
由2層單層石墨烯（3.1.1）以不同堆垛方式堆垛構(gòu)成的石墨烯。
3.2.1.3
多層石墨烯 graphenes；
multi-layer graphene, MLG
由3-10層單層石墨烯（3.1）以不同堆垛方式堆垛構(gòu)成的石墨烯。
3.2.2
改性石墨烯
modified graphene
官能化石墨烯 functionalized graphene
通過化學(xué)法或物理法在石墨烯（3. 1.1）中引入異質(zhì)原子或官能團(tuán)后所形成的石墨烯（3.1.1）。
注：改性石墨烯（3.2.2）包括氧化石墨烯（3.2.2.1）。
3.2.2.1
氧化石墨烯
graphene oxide
在石墨烯（3.1.1）的表面或邊界連接有含氧官能團(tuán)（基團(tuán)）的石墨烯。
3.2.2.2
還原氧化石墨烯
reduced oxide of graphenes；rgo
通過化學(xué)法或物理法不完全去除氧化石墨烯（3.2.2.1）中的含氧官能團(tuán)（基團(tuán)）后得到的石墨烯（3.1.1）。
3.3 按片徑大小分類的術(shù)語
3.3.1
石墨烯量子點(diǎn)
graphene quantum dot, GQD
片徑尺寸在10納米左右及以下的石墨烯（3.1.1）。
注：石墨烯量子點(diǎn)（3.3.1）的層數(shù)（3.1.2）不多于10層。
3.3.2
石墨烯納米帶
graphene nanoribbon
在片徑（3.1.3）上尺度小于10納米的條帶狀石墨烯（3.1.1）。
注：石墨烯納米帶（3.3.2）的層數(shù)（3.1.2）不多于10層。
3.3.4
石墨烯薄膜
graphene film
片徑（3.1.3）尺度大于等于100微米的石墨烯（3.1.1）。
3.3.5
石墨烯三維網(wǎng)絡(luò)
three-dimensional graphene network
由石墨烯（3.1.1）或改性石墨烯（3.2.2）為結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成的三維網(wǎng)狀石墨烯（3.1.1）。
3.4 石墨烯的制備方法
3.4.1
機(jī)械剝離法
mechanical exfoliation
通過對石墨晶體施加物理機(jī)械力（如摩擦力、拉力等）的方式將石墨烯（3. 1.1）從石墨晶體中剝離出來的方法。
3.4.2
化學(xué)氣相沉積法
chameical vapor disposition
高溫下含碳原子氣體在金屬或非金屬表面分解并沉積生成石墨烯（3.1.1）的方法。
3.4.3
氧化還原法
oxidation reduction
通過將石墨氧化以引入含氧官能團(tuán)并增大石墨層間距，經(jīng)過層層分離后形成氧化石墨烯（3.2.2.1），對其進(jìn)行還原后得到還原氧化石墨烯（3.2.2.2）的方法。
3.4.4
高溫裂解法
high temperature pyrolysis
在高溫（借助催化劑或無催化劑）條件下，將含有碳元素的化合物（如碳化硅SiC等）通過熱裂解的方式生成石墨烯（3.1.1）的方法。
3.4.5
插層剝離法
intercalation exfoliation
將其他原子或分子（如溴Br
2，氯化鐵FeCl3，有機(jī)分子等）插入到石墨層間以增大石墨層間距，經(jīng)過層層分離后形成石墨烯（3.1.1）的方法
3.5 石墨烯產(chǎn)品編號(hào)
一、石墨烯厚度變化及命名的變化
1. 石墨烯厚度《1nm或?qū)訑?shù)1層，統(tǒng)稱單層石墨烯。
2. 石墨烯厚度1~2nm或?qū)訑?shù)5層以內(nèi)，統(tǒng)稱為少層或者寡層石墨烯
3. 石墨烯厚度為2~5nm或者5~10層的，統(tǒng)稱多層石墨烯。
4. 石墨烯厚度為5~8nm或10層以上的，統(tǒng)稱石墨烯納米片。
5. 厚度大于8~25nm的石墨納米片。
6. 厚度做后綴標(biāo)示在后面，nm為默認(rèn)。
二．石墨烯片徑的變化及命名的變化
1. 片徑《10nm，厚度《1nm的，命名為石墨烯量子點(diǎn)，命名為納微尺寸。
2. 片徑《100nm的，厚度1nm左右的，命名為納小尺寸。
3. 片徑100~200nm的，厚度1nm左右的，命名為納小尺寸。
3-1. 片徑200~500nm的，厚度1nm左右的，命名為納中尺寸。
3-2. 片徑500nm~1μm的，厚度1nm左右的，命名為納大尺寸。
4-1. 片徑1~10μm的，厚度1nm左右的，命名為普通尺寸。命名為微小尺寸。
5. 片徑10μm~100μm的，厚度1nm左右的，命名為大尺寸。命名為微大尺寸。
6. 片徑》100μm的，厚度1nm左右的，命名為超大尺寸。
7. 片徑作為后綴標(biāo)示在后面，μm為默認(rèn)。
三．純度的變化及其命名的變化
1. 純度》95的為普通純度。
2. 純度》99%的為高純度。
3. 純度《70%為低純度。
4. 純度作為后綴標(biāo)示在后面，如純度為95%，標(biāo)示為-95。
四.石墨烯種類變化及其命名變化
1.還原法石墨烯為RG。
2.化學(xué)法還原為CRG。
3.熱還原發(fā)為TRG。
4.氧化石墨烯（石墨烯氧化物）為GO。
5.石墨烯量子點(diǎn)GD，D取自dote。
6.氧化石墨烯量子點(diǎn)GOD。
7.石墨烯微片GNP。
8.插層法IG。
9.化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯薄膜CVG。
10.單晶石墨烯SCG，SC取自Single crystal。
五.氣相沉積法石墨烯膜的命名
1.單層的氣相沉積法石墨烯膜CVSG，去single第一個(gè)字母。
2.雙層及以上層數(shù)的在后面標(biāo)相應(yīng)的-數(shù)字，如2層，-2。
3.單層率分90%和85%兩種，標(biāo)在后面。
4.方塊電阻分方阻500-800和方阻1000-2000兩種標(biāo)在后面。
5.基底作為后綴標(biāo)在后面，如銅基底的，標(biāo)示為-Cu。
6.泡沫鎳石墨烯膜NFG，NF取自Nickel foam。
7.氧化石墨烯膜GOF，F(xiàn)取自film。
8.尺寸用長/寬表示，如1*1cm表示為1/1，cm為默認(rèn)。
9.旋涂PMMA的預(yù)制石墨烯膜標(biāo)示為CVPG，去PMMA第一個(gè)字母P，也是prior的第一個(gè)字母。
六．改性及修飾后石墨烯命名
1.羥基改性的命名為羥基化石墨烯，型號(hào)加上后綴-OH。
2.羥基改性的命名為羥基化石墨烯，型號(hào)加上后綴-COOH。
3.氨基改性的命名為氨基化石墨烯，型號(hào)加上后綴-NH2。
4.巰基改性的命名為巰基化石墨烯，型號(hào)加上后綴-SH。
5.各種金屬摻雜的命名為某元素?fù)诫s石墨烯，鉑摻雜石墨烯，后綴加上-Pt。
6.各種分散液，型號(hào)上加后綴該溶劑簡稱，比如：溶劑為水可以加上-H2O或者-W
七．我公司命名實(shí)例。
我公司石墨烯命名從純粹編號(hào)演化到現(xiàn)在的，根據(jù)型號(hào)命名即可基本判斷該石墨烯基本特性。
舉例:
吉倉高純度普通尺寸氧化石墨烯
JCGO-99-1-2
JC:吉倉公司標(biāo)志
GO：氧化石墨烯
99：純度99%
1：厚度1nm
2：片徑2微米
吉倉預(yù)制單層銅基石墨烯膜
JCVSPG-90-1-10/10-Cu。
南京吉倉納米科技有限公司
